日 르네사스, 소비전력 크게 낮춘 플래시메모리 개발

1200449_20190628160636_182_0001

일본 르네사스일렉트로닉스는 소비전력을 크게 낮춘 65나노미터 SO221TB(Silicon On Thin Buried Oxide) 프로세스 기술을 적용한 플래시메모리를 개발했다.

이 플래시 메모리는 세계 최초로 SOTB프로세스 기술을 적용한 2트랜지스터 구조 플래시 메모리다. SOTB 프로세스 기술은 기존 트레이드 오프와 관계된 작동시 소비전력과 대기시 소비전력을 최대로 줄일 수 있는 기술이다. 메모리셀 주변회로에 저전력을 실현하는 새 회로 기술을 적용해 64㎒ 동작주파수에서 세계 최저 에너지 메모리 읽기를 실현했다. 낮은 에너지 소비로 메모리 데이터 감지 동작을 실현하는 회로 기술과 읽은 데이터를 외부로 전송할 때 발생하는 전송 에너지를 절감하는 회로 기술을 새롭게 개발해 메모리 데이터 읽기시 소비 에너지를 크게 줄였다.

권상희 기자(shkwon@etnews.com)

http://www.etnews.com/20190628000180